Micron Technology MT28EW01GABA1HJS-0SIT je vysoce kapacitní nevolatilní paměť typu FLASH - NOR integrovaný obvod (IC) navržený pro široké spektrum použití. Tento 1Gb paměťový čip nabízí konfigurace paměti 128M x 8 i 64M x 16, což zajišťuje flexibilitu pro různé systémové požadavky.
Paměťový IC disponuje paralelním rozhraním s rychlým přístupovým časem 95ns, což umožňuje efektivní přenos a načítání dat. Funguje v širokém teplotním rozsahu od -40°C do 85°C, což ho činí vhodným pro použití v různých environmentálních podmínkách. Produkt splňuje normy RoHS a je bezolovnatý, čímž řeší environmentální otázky a regulační požadavky.
Jedním z hlavních designových výzev, které tento paměťový IC řeší, je potřeba vysoké hustoty nevolatilního úložiště s rychlým přístupem. Kapacita 1Gb, spolu s paralelním rozhraním a nízkým přístupovým časem, umožňuje efektivní ukládání a načítání dat, což jej činí ideálním pro aplikace vyžadující velké kapacity paměti a rychlý přístup k datům.
MT28EW01GABA1HJS-0SIT je osazen v povrchové montážní pouzdru typu 56-TSOP (14x20), které nabízí kompaktní a efektivní řešení pro vložení na desku plošných spojů. Produkt je dostupný v balení v krabici, což usnadňuje manipulaci a instalaci.
Hlavní výhodou tohoto paměťového IC je jeho vysoká hustota datového úložiště, rychlý přístupový čas, široký teplotní rozsah a splnění norem RoHS. Tyto vlastnosti jej činí vhodným pro různé aplikace, jako jsou průmyslová automatizace, spotřební elektronika a vestavěné systémy, kde je potřeba nevolatilní paměť s efektivním přístupem k datům.
Pokud jde o kompatibilitu, mohou být k dispozici ekvivalentní nebo alternativní modely od společnosti Micron Technology nebo dalších výrobců. Je však důležité pečlivě posoudit specifické vlastnosti, kompatibilitu a vhodnost jakýchkoli náhradních variant, aby splňovaly požadavky cílové aplikace.
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Klíčové technické vlastnosti
1 Gb (128 M x 8, 64 M x 16) Paralelní rozhraní, Přístupová doba 95 ns
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Rozměr balení
Typ: 56-TSOP (14x20), Materiál: Termální zesílený plast, Balení: Tácek, Napájecí napětí: 2,7 V ~ 3,6 V, Tepelné vlastnosti: Provozní teplota -40 °C ~ 85 °C
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Použití
Vhodné pro aplikace vyžadující vysokorychlostní přístup k datům a velkou kapacitu paměti, například v automobilovém průmyslu, spotřební elektronice a komunikační infrastruktuře.
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Vlastnosti
MT28EW01GABA1HJS-0SIT je paměťový čip typu FLASH - NOR s vysokou hustotou 1 Gb, konfigurací buď 128 M x 8 nebo 64 M x 16. Disponuje paralelním rozhraním paměti, které zvyšuje rychlost přenosu dat, je vhodný pro výkonné aplikace. Přístupová doba 95 ns umožňuje rychlé čtení a odolává vlhkosti s úrovní citlivosti 3 (168 hodin), což zajišťuje spolehlivost v různých podmínkách.
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Funkce kvality a bezpečnosti
Bezolovnatý / RoHS kompatibilní s environmentálními normami. Paměť je umístěna v balení 56-TSOP (14x20) z termálně zesíleného plastu, vhodném pro odolné provozní prostředí v rozmezí teplot -40 °C až 85 °C.
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Kompatibilita
Vytvořen s použitím standardního balení 56-TSOP (14x20), které je kompatibilní s povrchovou montáží, usnadňuje integraci do široké škály elektronických sestav.
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Datový list PDF
Pro podrobné a přesné technické parametry produktu MT28EW01GABA1HJS-0SIT si stáhněte nejnovější datový list dostupný na našich webových stránkách. Zaručujeme aktuální informace, které vám pomohou s informovaným rozhodováním.
Distributor kvality
IC-Components je přední distributor nabízí autentické a kvalitní produkty, včetně MT28EW01GABA1HJS-0SIT od Micron Technology. Zvyšte důvěryhodnost svého projektu prvotřídními díly z ověřeného zdroje. Navštivte naše stránky pro cenovou nabídku a zjednodušte si nákupní proces s našimi efektivními službami.
