Podle tchajwanských United Daily News Li Peiying, generální ředitel pobočky v jižní Asii, 10. 10. oznámil, že dokončil nezávislý výzkum a vývoj 10-nanometrové technologie DRAM a v druhé polovině letošního roku zahájí zkušební výrobu.
Uvádí se, že globální paměťové čipy DRAM jsou ovládány hlavně společnostmi Samsung, SK Hynix a Micron. Jejich podíl přesahuje 95%. Klíčovým důvodem je to, že tyto tři technologické patenty tvoří velmi vysokou hranici. Pro jiné společnosti je obtížné prorazit. .
Pobočka Jižní Asie se nyní zaměřuje na technologii 20nm a zdrojem technologie je Micron. Se zavedením procesu 10 nanometrů od společnosti Nanya do nezávislé technologie to znamená, že se v budoucnu již nebude spoléhat na povolení společnosti Micron a každý produkt vyvíjí sama společnost. Náklady jsou výrazně sníženy.
Li Peiying řekl, že Nanyake úspěšně vyvinul novou technologii výroby paměti pro 10nm DRAM, která umožnila udržitelné smrštění produktů DRAM po dobu nejméně tří epoch. První generace 10nm lead produktů, 8Gb DDR4, LPDDR4 a DDR5, bude postavena na nezávislých technologických platformách a technologických platformách produktů a po druhé polovině roku 2020 vstoupí do zkušební výroby.
Technologie zpracování 10 nanometrů druhé generace zahájila výzkum a vývoj a očekává se, že do roku 2022 bude zavedena zkušební výroba. Technologie zpracování 10 nanometrů třetí generace bude vyvinuta v budoucnosti. Zdůraznil, že po vstupu do procesu 10 nanometrů se Nanya zaměří na technologii vyvinutou společností, sníží licenční náklady a výrazně zlepší účinnost.
V souladu s vývojem procesu 10 nanometrů budou kapitálové výdaje společnosti Nanya v loňském roce vyšší než 5,5 miliardy juanů. Li Peiying uvedl, že kromě zlepšení nákladů pomůže úspěšný nezávislý vývoj technologie nanotechnologií 10 nanometrů společnosti Nanya také uchopit vývojové příležitosti a technologický pokrok směrem k novým produktům s vysokou hustotou.