Společnost IXYS Corporation představuje IGBT IXBT12N300HV, vysoce výkonný izolovaný bránkový bipolární tranzistor (IGBT) určený pro pokročilé aplikace v oblasti výkonové elektroniky. Tento diskrétní polovodičový prvek nabízí vynikající schopnosti zvládání napětí a řízení proudu, což ho činí ideálním pro vysokovýkonné spínací a konverzní systémy.
Tranzistor je navržen s důrazem na robustní výkonové vlastnosti, vynikajícího napětí přechodu kolektor-emitor 3000 V a maximální kolektorový proud 30 A. Jeho sofistikovaná řada BIMOSFET umožňuje efektivní řízení výkonu v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do 150 °C, což zajišťuje spolehlivý výkon i v náročných tepelných podmínkách.
Hlavní technické parametry zahrnují nízké napětí při sepnutí (Vce(on)) 3,2 V při 15 V a 12 A, spolu s kompaktním povrchovým pouzdrem typu TO-268, které usnadňuje snadnou integraci do elektronických systémů. Zařízení vykazuje impozantní spínací schopnosti s prodlevami při zapnutí a vypnutí 64 ns a 180 ns a udržuje nabití řídicího elektrody 62 nC.
Mezi hlavní výhody tohoto IGBT patří bezolovnatá konstrukce v souladu s normou RoHS, vysoká schopnost výkonu až 160 W a výjimečná schopnost blokovat napětí. Díky své univerzálnosti je vhodný pro použití v aplikacích jako jsou konverze energie, pohony motorů, invertory či průmyslové řídicí systémy, kde je vyžadováno spínání vysokého napětí a proudu.
Alternativní nebo obdobné modely v produktové řadě IXYS zahrnují podobné vysokonapěťové IGBT srovnatelné parametry, avšak přesné náhrady by vyžadovaly konzultaci přímo s výrobcem. Parametry výkonu a robustní konstrukce činí tento tranzistor přesvědčivým řešením pro navrhování spolehlivých a vysokovýkonných výkonových polovodičových prvků.
Kompatibilita s povrchovým montážním typem konstrukce a široký teplotní rozsah zaručují jeho adaptabilitu pro různé požadavky v oblasti elektronického designu, čímž se stává flexibilní a spolehlivou volbou pro složité aplikace řízení výkonu.
IXBT12N300HV Klíčové technické vlastnosti
IXBT12N300HV je jednosměrný IGBT tranzistor řady BIMOSFET od společnosti IXYS, s maximálním průrazným napětím 3000 V, kolektorovým proudem 30 A a výkonovým zatížením 160 W. Nabízí nízkou nálož brány 62 nC a dobu přepínání (on/off) při 25°C 64 ns / 180 ns, což zajišťuje efektivní spínací operace. Je schopný zvládnout špičkové pulzní proudy až do 100 A a pracovat v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do 150 °C, ideální pro náročné aplikace jako správa energie a pulzní obvody.
IXBT12N300HV Rozměr balení
Balení typu TO-268 v tubusové formě, vhodné pro povrchovou montáž, s 2 vodiči a primarym. Ideální pro kompaktní a modulární elektronické sestavy.
IXBT12N300HV Použití
Vhodný pro vysokonapěťové spínací aplikace, například v energetických systémech, průmyslové automatizaci či ovládání výkonových obvodů.
IXBT12N300HV Vlastnosti
IXYS IXBT12N300HV je jednosměrný IGBT tranzistor s nízkou náloží brány, vysokou spínací rychlostí a schopností zvládat vysoké pulzní proudy. Díky robustní konstrukci a kompatibilitě s povrchovou montáží je ideální pro náročné elektronické obvody, které vyžadují spolehlivost a vysoký výkon.
IXBT12N300HV Funkce kvality a bezpečnosti
Bezolovnaté a v souladu s RoHS, s úrovní citlivosti na vlhkost MSL 1 (neomezeně), což garantuje vysokou spolehlivost a environmentální bezpečnost.
IXBT12N300HV Kompatibilita
Standardní vstupní typ a povrchová montáž zajišťují kompatibilitu s širokou škálou elektronických sestav a desek plošných spojů.
IXBT12N300HV Datový list PDF
Pro podrobnou specifikaci a úplné technické údaje doporučujeme stáhnout oficiální datasheet IXBT12N300HV dostupný na našem webu. Pro nejpřesnější informace stahujte přímo z této stránky.
Distributor kvality
IC-Components jsou hrdí na to, že jsou předním distributorem produktů IXYS. Zaručujeme pravost a kvalitu výrobku IXBT12N300HV. Pro nabídky s konkurenčními cenami a špičkovým servisem požádejte o cenovou kalkulaci přímo na našich stránkách.
